微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)

在科技與人才雙驅(qū)動(dòng)的新時(shí)代，高等教育致力于提升人才培養(yǎng)質(zhì)量，特別是培養(yǎng)理論研究、半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、工藝流程及研發(fā)管理的復(fù)合型人才。

依托其在微電子和半導(dǎo)體測(cè)試的經(jīng)驗(yàn)，設(shè)計(jì)了微電子實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)，將實(shí)踐與測(cè)試?yán)砟钊谌虢虒W(xué)，為實(shí)踐教學(xué)提供了新方向。 

微電子實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)基本特點(diǎn)

1. 豐富的實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目

微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)提供了多達(dá)9種實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目，涵蓋了微電子學(xué)、集成電路設(shè)計(jì)等方面。這些實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目旨在幫助學(xué)生全面了解微電子學(xué)的基本原理和集成電路設(shè)計(jì)的方法。

2. 靈活的實(shí)驗(yàn)配置

系統(tǒng)采用模組化設(shè)計(jì)，允許各設(shè)備獨(dú)立連接與操作，學(xué)生依據(jù)實(shí)驗(yàn)?zāi)繕?biāo)靈活選擇設(shè)備，并在掌握原理后正確組裝連接，此過(guò)程有效鍛煉了其實(shí)踐動(dòng)手能力。同時(shí)，“積木式"布局結(jié)合寬敞的實(shí)驗(yàn)桌，實(shí)現(xiàn)了同一平臺(tái)上的多樣化實(shí)驗(yàn)同步進(jìn)行，顯著提升設(shè)備利用率并加速實(shí)驗(yàn)進(jìn)程。

3. 先進(jìn)的實(shí)驗(yàn)設(shè)備 

微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)采用了先進(jìn)的實(shí)驗(yàn)設(shè)備和技術(shù)，如產(chǎn)品：半導(dǎo)體CV特性測(cè)試儀、數(shù)字示波器、雙通道數(shù)字源表、信號(hào)源等，這些設(shè)備可以為學(xué)生提供真實(shí)的現(xiàn)實(shí)微電子設(shè)計(jì)、制造及測(cè)試環(huán)境，有利于學(xué)生畢業(yè)后更快適應(yīng)微電子行業(yè)環(huán)境。 

4. 易于操作的學(xué)習(xí)平臺(tái) 

微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)采用了直觀的操作界面和友好的人機(jī)交互設(shè)計(jì)，圖文化教學(xué)使學(xué)生能夠輕松地學(xué)習(xí)到微電子、集成電路、測(cè)試儀器的基本原理及實(shí)驗(yàn)操作。同時(shí)，實(shí)驗(yàn)臺(tái)還提供了詳細(xì)的實(shí)驗(yàn)步驟和故障排除指南，幫助學(xué)生解決實(shí)驗(yàn)過(guò)程中遇到的問(wèn)題。

一．微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)總體方案

二．實(shí)驗(yàn)內(nèi)容

（一）肖特基勢(shì)壘特性及雜質(zhì)的測(cè)量

本實(shí)驗(yàn)旨在讓學(xué)生掌握肖特基二極管結(jié)構(gòu)、原理、應(yīng)用，及其整流特性和勢(shì)壘電容。

（二）電阻式傳感器的工作原理與測(cè)量

本實(shí)驗(yàn)旨在讓學(xué)生掌握各種不同電阻式傳感器的工作原理，并掌握LCR測(cè)量阻抗的方式。

（三）場(chǎng)效應(yīng)晶體管直流參數(shù)測(cè)試

本實(shí)驗(yàn)旨在讓學(xué)生更深入地了解MOSFET的工作原理，并掌握實(shí)驗(yàn)操作技能，為未來(lái)的研究和工作奠定基礎(chǔ)。

（四）PN結(jié)直流特性測(cè)試及PN結(jié)參數(shù)的變溫測(cè)試

本實(shí)驗(yàn)旨在讓學(xué)生深入了解晶體管的工作機(jī)制，掌握實(shí)驗(yàn)技能，并為未來(lái)的研究和工作打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

（五）雙極型晶體管直流參數(shù)的測(cè)量

本實(shí)驗(yàn)旨在讓大家掌握雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)及主要參數(shù)的定義，了解并利用源表進(jìn)行雙極型晶體管輸入特性和輸出特性曲線的測(cè)量方法，以及了解雙極型晶體管輸出特性的常見缺陷及其產(chǎn)生的原因。

（六）MOS器件靜態(tài)特性測(cè)試分析

本實(shí)驗(yàn)旨在讓大家掌握MOFFET飽和漏電流ldss、閾值電壓Vth、跨導(dǎo)等靜態(tài)參數(shù)的測(cè)量方法，以及了解測(cè)量MOSFET輸出特性曲線的方法。

（七）MOS器件CV特性測(cè)試

本實(shí)驗(yàn)旨在讓學(xué)生了解場(chǎng)效應(yīng)管的動(dòng)態(tài)參數(shù)與寄生電容，熟悉動(dòng)態(tài)參數(shù)中Ciss、Coss、Crss等的定義及危害，并掌握它們的測(cè)量方法和曲線掃描技巧。

（八）MOS器件動(dòng)態(tài)開關(guān)特性測(cè)試

本實(shí)驗(yàn)旨在讓大家掌握MOSFET開啟過(guò)程、開關(guān)時(shí)間定義、熟練掌握函數(shù)信號(hào)發(fā)生器和數(shù)字存儲(chǔ)示波器的使用。

（九）集成運(yùn)放特性分析測(cè)試（上、下）

本實(shí)驗(yàn)旨在讓大家了解集成電路的概念，熟悉集成運(yùn)放放大器的結(jié)構(gòu)，了解集成電路放大器中的各種參數(shù)概念，并掌握集成電路放大器的參數(shù)測(cè)量方法。

三、微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)儀器配置清單